近日，校友企业苏州东微半导体股份有限公司（简称：“东微半导体”，股票代码：688261）在上交所科创板成功上市。

苏州东微半导体股份有限公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，公司联合创始人王鹏飞先生是复旦大学化学系94级校友。

王鹏飞

王鹏飞1998年本科毕业于复旦大学化学系，2001年硕士毕业于复旦大学微电子学院，2003年博士毕业于德国慕尼黑工业大学。主要从事新型微电子器件的研发。曾获国家高层次人才计划科技创新领军人才、上海市特聘专家、上海市高校特聘教授等荣誉称号。在德国慕尼黑工业大学攻读博士学位期间，命名了知名的TFET（隧穿场效应晶体管）器件，并首次制造出互补隧穿晶体管（CTFET），在不到三年的时间以最高荣誉成绩博士毕业。王鹏飞博士毕业后加入德国半导体公司英飞凌科技公司后，作为第一发明人研发了多项核心器件，多项技术被应用至该公司DRAM产品中。后担任复旦大学微电子学院教授、博导，专用集成电路与系统国家重点实验室副主任。王鹏飞曾在Science杂志上发表高质量的研究论文，先后获授权发明专利70余项，其中美国专利授权30余项。发明了互补隧穿场效应晶体管、半浮栅无电容式存储器、半浮栅光传感器、GreenMOS、SFGMOS等微电子器件，多项技术实现量产。

王鹏飞留学期间，发现当时国内核心芯片国产化率很低，严重依赖进口，于是选择2008年回国与龚轶联合创办苏州东微半导体有限公司（意为振兴东方微电子），矢志振兴国产芯片科技。创办以来，东微半导凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，聚焦新型功率器件的研发领域，是国内少数具备从专利到量产的高性能功率器件设计公司之一，在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。目前，东微半导研发的多款功率芯片满足了车规芯片的要求，并被批量应用于新能源车，同时还开发出了新一代的Trident Gate Bipolar Transistor (TGBT, Tri-gate IGBT)芯片，第三代半导体芯片的研发也已经提上日程。